電子冷却付InGaAsフォトダイオード

KPDE086S-H85P

  • 型番
    KPDE086S-H85P
  • 特徴
    • 大受光面積: 860µm sq.
    • 低暗電流
    • 高シャント抵抗
    • 電子冷却(TEC), サーミスタ搭載
    • 小型パッケージ (TO-46)
  • 用途
    • 近赤外センサ
    • 近赤外分光分析
    • パワーメータ
KPDE086S-H85P

仕様

受光サイズ [mm] □0.86x0.86
検出波長 Min.[nm] 900
Max.[nm] 1700
帯域幅 Typ. -
条件 -
短絡電流 Typ.[µA] -
条件 -
受光感度 Typ.[A/W] 0.9
1.0
条件 λ=1310nm
λ=1550nm
パッケージ TO-CAN

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光半導体

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